Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB

総合得点

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

総合得点

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB

相違点仕様コメント

相違点

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

考慮すべき理由
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

バグを報告する

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB

考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

21 44

周辺 -110% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

18.7 10.9

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

14.3 7.5

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

17000 10600

周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

44 21
読み出し速度、GB/s

10.9 18.7
書き込み速度、GB/秒

7.5 14.3
メモリ帯域幅、mbps

10600 17000

Other

商品説明

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

1853 3437

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB

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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

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G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB

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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

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Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB

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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

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Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

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Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB

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Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB

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Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB

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Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB

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Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB

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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

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