RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Porównaj
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
26
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
24.4
12.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.7
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.2
24.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
19.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1677
4300
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link