RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
27
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
24.4
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.7
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
23
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
24.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
19.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
4300
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Kingston HP536726-H41-ELCUW 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link