RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Porównaj
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
40
Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
11.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
31
Prędkość odczytu, GB/s
11.3
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1654
2447
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link