RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
29
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1952
2832
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link