RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
72
Wokół strony 67% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
72
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1817
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link