RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Porównaj
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
40
Wokół strony -111% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.8
11.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
19
Prędkość odczytu, GB/s
11.3
19.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1654
3370
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link