RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Porównaj
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
40
Wokół strony -111% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.8
11.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
19
Prędkość odczytu, GB/s
11.3
19.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1654
3370
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link