RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
94
Wokół strony -169% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.5
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
35
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
10.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
1998
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Mushkin 991586 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link