RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
11.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
87
Wokół strony -172% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
2987
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Team Group Inc. 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link