RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
12.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
104
Wokół strony -352% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2659
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link