RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
94
Wokół strony -203% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
31
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
3509
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link