RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Сравнить
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB против Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
94
Около -203% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
1,165.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
94
31
Скорость чтения, Гб/сек
1,882.0
16.7
Скорость записи, Гб/сек
1,165.4
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
305
3509
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Corsair CM3X8GA1600C10V2 8GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link