RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
94
Wokół strony -236% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
28
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
3325
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link