RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
43
Wokół strony -95% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
22
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1823
3038
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link