RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
24
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
23
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3169
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Mushkin 996902 2GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link