RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
42
Wokół strony -5% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
40
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2786
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link