RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
59
68
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
68
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
1904
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link