RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
80
Wokół strony 43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
80
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
1882
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link