RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
46
80
Por volta de 43% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
16
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.9
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
3200
Por volta de 6.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
80
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
8.9
Largura de banda de memória, mbps
3200
21300
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
1882
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KL9 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-D8KM9 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link