RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Comparar
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Pontuação geral
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Por volta de 1.25% maior largura de banda
Razões a considerar
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
42
Por volta de -62% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.1
13.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.7
7.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
26
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
14.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
10.7
Largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2181
2679
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link