Comparação RAM Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Pontuação geral

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

27 36

Por volta de -33% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

10.5 10.3

Valor médio nos testes

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Características principais

Other

Descrição

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2569 2409

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns