Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Puntuación global
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Puntuación global
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    15 left arrow 14.6
    Valor medio en las pruebas
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    27 left arrow 36
    En -33% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    10.5 left arrow 10.3
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    36 left arrow 27
  • Velocidad de lectura, GB/s
    15.0 left arrow 14.6
  • Velocidad de escritura, GB/s
    10.3 left arrow 10.5
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2569 left arrow 2409
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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