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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Comparar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Pontuação geral
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
53
Por volta de -104% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.7
1,590.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
53
26
Velocidade de leitura, GB/s
3,726.4
14.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,590.1
10.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
522
2679
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparações de RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
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Crucial Technology CT102464BD160B 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
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