RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Porównaj
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
29
Wokół strony -71% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.9
19.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
15.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
17
Prędkość odczytu, GB/s
19.4
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
15.8
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
17000
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3614
3550
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
INTENSO 5641152 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link