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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
比较
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
总分
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
总分
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
40
42
左右 -5% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.8
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
40
读取速度,GB/s
10.6
14.8
写入速度,GB/s
9.0
11.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2423
2786
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
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SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
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Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
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Kingston X6TCK6-MIE 32GB
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SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
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