RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
94
Wokół strony -236% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
28
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
3316
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link