RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
94
Wokół strony -292% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
24
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
4064
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link