RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
94
Wokół strony -236% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.9
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
28
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
3504
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT102464BF1339.M16 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link