Porównanie pamięci RAM SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Wynik ogólny

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Wyższa przepustowość pamięci, mbps

21300 19200

Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma

Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

24 36

Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

15.6 15

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

12.1 10.1

Średnia wartość w badaniach

Pełna lista specyfikacji technicznych

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2657 2852

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns