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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Compara
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
36
En -50% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
15
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
10.1
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
24
Velocidad de lectura, GB/s
15.0
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2657
2852
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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