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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

総合得点
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

総合得点
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 19200
    周辺 1.11% 高帯域
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB 考慮すべき理由
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    24 left arrow 36
    周辺 -50% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.6 left arrow 15
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.1 left arrow 10.1
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    36 left arrow 24
  • 読み出し速度、GB/s
    15.0 left arrow 15.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    10.1 left arrow 12.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2657 left arrow 2852

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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
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メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
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メモリRAM
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
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メモリRAM
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB
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G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
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メモリRAM
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
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G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
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メモリRAM
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
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メモリRAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Kingston 9965589-008.D02G 8GB
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メモリRAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
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メモリRAM
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
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メモリRAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
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メモリRAM
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
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Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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メモリRAM
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
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