Comparaison de la RAM SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Note globale

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Bande passante mémoire plus élevée, mbps

21300 19200

Autour de 1.11% bande passante supérieure

Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

24 36

Autour de -50% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

15.6 15

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

12.1 10.1

Valeur moyenne dans les tests

Liste complète des spécifications techniques

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2657 2852

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns