RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
94
Wokół strony -236% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
28
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
3085
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link