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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Confronto
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
94
Intorno -236% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.4
1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.6
1,165.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
94
28
Velocità di lettura, GB/s
1,882.0
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,165.4
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
305
3085
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
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Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
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