RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
94
Wokół strony -327% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
22
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
3207
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link