RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Compara
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
94
En -327% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
1,165.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
94
22
Velocidad de lectura, GB/s
1,882.0
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,165.4
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
305
3207
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link