RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
94
Wokół strony -262% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.8
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
26
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
16.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
3899
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link