RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Comparez
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Note globale
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
94
Autour de -262% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.4
1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.8
1,165.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
94
26
Vitesse de lecture, GB/s
1,882.0
19.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,165.4
16.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
305
3899
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link