RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
94
Wokół strony -135% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.5
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
40
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
2254
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link