RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
65
Wokół strony -51% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
43
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2128
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link