RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
65
Wokół strony -51% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
43
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2128
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4C
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Kingston 99P5471-033.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-036.A00LF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link