RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
71
94
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
71
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
1863
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link