RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Porównaj
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
34
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
34
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2181
2584
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB
Kingston 9905403-410.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link