RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
65
Wokół strony 62% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
8.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
16.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
65
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2041
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link