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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
65
左右 62% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.1
8.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.4
16.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
65
读取速度,GB/s
16.1
16.4
写入速度,GB/s
10.1
8.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2041
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
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