RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
65
Около 62% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.1
8.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.4
16.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
65
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
16.4
Скорость записи, Гб/сек
10.1
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2041
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link