RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Porównaj
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
39
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
4.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
39
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
13.0
Prędkość zapisu, GB/s
4.6
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1560
2808
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
INTENSO 5641162 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link