RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Porównaj
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
9.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
28
Prędkość odczytu, GB/s
14.0
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.1
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2330
3716
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link