RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
68
Wokół strony -152% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
1,702.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,886.6
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,702.6
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
654
2419
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link