RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Compara
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
13.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
68
En -152% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.3
1,702.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
68
27
Velocidad de lectura, GB/s
3,886.6
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,702.6
9.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
654
2419
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link