RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
28
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
24
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
2333
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Kingston KHX16 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link